Séléniure de cuivre, d'indium et de gallium
| CIGS (semiconducteur) | |
| |
| __ Cu+ __ Se2- __ In3+ ou Ga3+ | |
| Propriétés chimiques | |
|---|---|
| Formule | CuInxGa1-xSe2 |
| Propriétés physiques | |
| T° fusion | 990 à 1 070 °C (x = 1 à 0) |
| Masse volumique | ≈ 5,7 g·cm-3 |
| Propriétés électroniques | |
| Largeur de bande interdite | 1,7 eV (x = 0) à 1,0 eV (x = 1) |
| Cristallographie | |
| Système cristallin | Tétragonal |
| Réseau de Bravais | Centré I |
| Classe cristalline ou groupe d’espace | (no 122) |
| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
Le séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, souvent abrégé CIGS, de l'anglais copper indium gallium selenide, est un composé chimique de formule générique CuInxGa1−xSe2. C'est un semi-conducteur à gap direct constitué de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium. Il s'agit d'une solution solide de CIS CuInSe2 (copper indium selenide, x = 1) et de CGS CuGaSe2 (copper gallium selenide, x = 0). Sa structure cristalline est semblable à celle de la chalcopyrite, dans le groupe d'espace I42d (no 122), avec une largeur de bande interdite variant de manière continue de 1,02 eV pour le CIS à 1,7 eV pour le CGS[1].
Ce matériau est utilisé essentiellement pour réaliser des cellules photovoltaïques à couches minces. Il présente l'avantage de pouvoir être déposé sur des surfaces flexibles afin de réaliser des panneaux solaires souples et légers.
Notes et références
- ↑ (en) T. Tinoco, C. Rincón, M. Quintero et G. Sánchez Pérez, « Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys », Physica Status Solidi (a), vol. 124, no 2, , p. 427-434 (DOI 10.1002/pssa.2211240206, Bibcode 1991PSSAR.124..427T, lire en ligne)
Articles connexes
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